음향:electric_circuit:component_tolerence
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| 음향:electric_circuit:component_tolerence [2026/01/26] – [부품군별 편차율] 정승환 | 음향:electric_circuit:component_tolerence [2026/03/14] (현재) – 정승환 | ||
|---|---|---|---|
| 줄 12: | 줄 12: | ||
| | **2위** | **트랜지스터 (BJT/FET)** | **전류 증폭률(hFE), | | **2위** | **트랜지스터 (BJT/FET)** | **전류 증폭률(hFE), | ||
| | **3위** | 알루미늄 전해 커패시터 | 용량(Capacitance) | ±20% | 온도 및 경년 변화에 민감 | | | **3위** | 알루미늄 전해 커패시터 | 용량(Capacitance) | ±20% | 온도 및 경년 변화에 민감 | | ||
| - | | **4위** | 탄소피막 저항 (THT) | 저항값 (Resistance) | ±5% ~ ±10% | 일반적인 보급형 저항 | | + | | **4위** | 탄소피막 저항 (THD) | 저항값 (Resistance) | ±5% ~ ±10% | 일반적인 보급형 저항 | |
| - | | **5위** | 금속피막 저항 (SMD/THT) | 저항값 (Resistance) | ±0.1% ~ ±1% | 고정밀 회로용 | | + | | **5위** | 금속피막 저항 (SMD/THD) | 저항값 (Resistance) | ±0.1% ~ ±1% | 고정밀 회로용 | |
| | **6위** | 집적회로 (IC) | 내부 소자 간 매칭(Matching) | 0.01% ~ 1% | 절대값보다 상대값 정밀도가 높음 | | | **6위** | 집적회로 (IC) | 내부 소자 간 매칭(Matching) | 0.01% ~ 1% | 절대값보다 상대값 정밀도가 높음 | | ||
| </ | </ | ||
| 줄 29: | 줄 29: | ||
| * **커패시터: | * **커패시터: | ||
| - | * **저항:** * **THT(Through-Hole):** 리드선이 있는 부품으로, | + | * **저항: |
| - | * **SMD(Surface Mount):** 자동화 공정에 최적화되어 생산 편차가 매우 적으며, 회로의 기생 성분을 줄이는 데 유리합니다. | + | |
| + | * **SMD:** 자동화 공정에 최적화되어 생산 편차가 매우 적으며, 회로의 기생 성분을 줄이는 데 유리합니다. | ||
| ==== 집적회로 ==== | ==== 집적회로 ==== | ||
| 줄 45: | 줄 46: | ||
| * **설계 대응:** 좋은 설계는 트랜지스터의 hFE가 변하더라도 회로의 전체 동작(Gain)이 일정하도록 피드백(Feedback) 회로를 구성하는 것입니다. | * **설계 대응:** 좋은 설계는 트랜지스터의 hFE가 변하더라도 회로의 전체 동작(Gain)이 일정하도록 피드백(Feedback) 회로를 구성하는 것입니다. | ||
| - | ==== 패키지 형태에 따른 차이(THT vs SMD) ==== | + | ==== 패키지 형태에 따른 차이(THD vs SMD) ==== |
| - | * **THT (TO-92 등):** 방열 특성이 상대적으로 좋으나, 내부 리드선의 길이에 의한 기생 인덕턴스가 존재합니다. | + | * **THD (TO-92 등):** 방열 특성이 상대적으로 좋으나, 내부 리드선의 길이에 의한 기생 인덕턴스가 존재합니다. |
| - | * **SMD (SOT-23 등):** 부품 크기가 작아 공정 제어가 정밀하며, | + | * **SMD (SOT-23 등):** 부품 크기가 작아 공정 제어가 정밀하며, |
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음향/electric_circuit/component_tolerence.1769353622.txt.gz · 마지막으로 수정됨: 저자 정승환
