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+++ 음향:electric_circuit:solid_state:transistor:bjt:start [2026/01/01] (현재) – 정승환
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+======BJT======
+**Bipolar Junction Transistor, 양극성 접합 트랜지스터**
+양극성 접합 트랜지스터, BJT로 짧게 표현되는 것은 두 개의 PN 접합이 그 기능을 위해 있는 것이기 때문에 그렇게 불립니다. 이 BJT는 일반적인 트랜지스터입니다. NPN 및 PNP 두 가지 유형의 구성이 있습니다. 일반적으로 편의를 위해 NPN 트랜지스터가 선호됩니다.
+BJT의 유형은 NPN 및 PNP 트랜지스터입니다. NPN 트랜지스터는 두 개의 n-유형 물질 사이에 p-유형 물질을 놓음으로써 제작됩니다. PNP 트랜지스터는 두 개의 p-유형 물질 사이에 n-유형 물질을 놓음으로써 제작됩니다.
+BJT는 Current Controlled Device((전류에 의해 제어되는 장치))입니다. 일반 트랜지스터가 이 범주에 속합니다. 기능, 구성 및 응용은 모두 동일합니다.
+<imgcaption image1 center|>{{:음향:electric_circuit:transistor:20240413-231429.png}}</imgcaption>
+<imgcaption image2 center|>{{:음향:components:20220630-051039.png}}</imgcaption>
+=====주 재료=====
+  * **실리콘(Si)**: 현재 대부분의 BJT는 매우 순수한 실리콘으로 제작됩니다. 실리콘은 열적 안정성과 신뢰성이 높아 게르마늄을 대체하여 가장 널리 사용되는 재료입니다.
+  * **실리콘-게르마늄(SiGe)**: 일부 고성능 또는 특수 목적의 BJT에는 실리콘-게르마늄 합금이 사용되기도 합니다. 이는 고속 동작 특성을 위해 선택됩니다.
+  * **실리콘 카바이드(SiC)**: 다이아몬드: 고전압, 고온, 고출력 애플리케이션에서는 실리콘 카바이드나 다이아몬드와 같은 특수 반도체 재료도 연구되고 있습니다
+===== 패키지 형태 분류 =====
+BJT는 실장 방식과 집적 형태로 3가지로 나눌 수 있다:
+<WRAP tablewidth 100%>
+^ 분류 ^ 설명 ^ 예시 ^ 용도 ^
+| **Through-Hole (THT, 삼발이)** | 3개 긴 리드 돌출, 수동 삽입 | 2N3904(TO-92), TIP41(TO-220) | 프로토타입, 브레드보드 |
+| **듀얼/멀티 어레이** | IC 칩(DIP/SOIC)에 2~4개 BJT 매칭 집적 | SSM2220(듀얼 PNP), MAT02 | 저노이즈 차동 앰프, 오디오 입력단 |
+| **SMD (표면실장)** | 리드 짧거나 없음(SOT-23 등) | BC847(SOT-23), FMMT491(듀얼) | 대량 PCB 생산, 고밀도 회로 |
+</WRAP>
+  * **THT**: 핸드 솔더링 쉽지만 부피 큼.
+  * **듀얼 어레이**: h_FE/V_BE 매칭 ±1~3%로 정밀회로 특화.
+  * **SMD**: 자동실장 최적화, 공간 효율 최고.
+=====JFET vs FET=====
+<WRAP tablewidth 100%>
+^  JFET  ^  BJT  ^
+|  단극성입니다.  |  양극성입니다.  |
+|  전압으로 구동합니다.  |  전류로 구동합니다.  |
+|  높은 인풋 임피던스  |  낮은 인풋 임피던스  |
+|  낮은 노이즈  |  높은 노이즈  |
+|  낮은 발열  |  다소 높은 발열  |
+|  게인은 전압대비 전류량에 의해 조절된다.  |  게인은 전압에 의해 조절된다.  |
+</WRAP>
+{{tag>트랜지스터}}

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