음향:electric_circuit:solid_state:transistor:bjt:start

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--- 음향:electric_circuit:solid_state:transistor:bjt:start [2026/01/01] – [BJT] 정승환
+++ 음향:electric_circuit:solid_state:transistor:bjt:start [2026/01/01] (현재) – 정승환
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 =====주 재료=====
-  * 실리콘(Si)- 현재 대부분의 BJT는 매우 순수한 실리콘으로 제작됩니다. 실리콘은 열적 안정성과 신뢰성이 높아 게르마늄을 대체하여 가장 널리 사용되는 재료입니다.
+  * **실리콘(Si)**: 현재 대부분의 BJT는 매우 순수한 실리콘으로 제작됩니다. 실리콘은 열적 안정성과 신뢰성이 높아 게르마늄을 대체하여 가장 널리 사용되는 재료입니다.
-  * 실리콘-게르마늄(SiGe): 일부 고성능 또는 특수 목적의 BJT에는 실리콘-게르마늄 합금이 사용되기도 합니다. 이는 고속 동작 특성을 위해 선택됩니다.
+  * **실리콘-게르마늄(SiGe)**: 일부 고성능 또는 특수 목적의 BJT에는 실리콘-게르마늄 합금이 사용되기도 합니다. 이는 고속 동작 특성을 위해 선택됩니다.
-  * 실리콘 카바이드(SiC), 다이아몬드: 고전압, 고온, 고출력 애플리케이션에서는 실리콘 카바이드나 다이아몬드와 같은 특수 반도체 재료도 연구되고 있습니다
+  * **실리콘 카바이드(SiC)**: 다이아몬드: 고전압, 고온, 고출력 애플리케이션에서는 실리콘 카바이드나 다이아몬드와 같은 특수 반도체 재료도 연구되고 있습니다
 ===== 패키지 형태 분류 =====
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 BJT는 실장 방식과 집적 형태로 3가지로 나눌 수 있다:
-| 분류 | 설명 | 예시 | 용도 |
+<WRAP tablewidth 100%>
-|------|------|------|------|
+^ 분류 ^ 설명 ^ 예시 ^ 용도 ^
 | **Through-Hole (THT, 삼발이)** | 3개 긴 리드 돌출, 수동 삽입 | 2N3904(TO-92), TIP41(TO-220) | 프로토타입, 브레드보드 |
 | **듀얼/멀티 어레이** | IC 칩(DIP/SOIC)에 2~4개 BJT 매칭 집적 | SSM2220(듀얼 PNP), MAT02 | 저노이즈 차동 앰프, 오디오 입력단 |
 | **SMD (표면실장)** | 리드 짧거나 없음(SOT-23 등) | BC847(SOT-23), FMMT491(듀얼) | 대량 PCB 생산, 고밀도 회로 |
+</WRAP>
   * **THT**: 핸드 솔더링 쉽지만 부피 큼.
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   * **SMD**: 자동실장 최적화, 공간 효율 최고.
+=====JFET vs FET=====
+<WRAP tablewidth 100%>
 ^  JFET  ^  BJT  ^
 |  단극성입니다.  |  양극성입니다.  |
@@ 줄 39: / 줄 42: @@
 |  낮은 발열  |  다소 높은 발열  |
 |  게인은 전압대비 전류량에 의해 조절된다.  |  게인은 전압에 의해 조절된다.  |
+</WRAP>
 {{tag>트랜지스터}}

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음향/electric_circuit/solid_state/transistor/bjt/start.1767242638.txt.gz · 마지막으로 수정됨: 2026/01/01 저자 정승환