음향:electric_circuit:solid_state:transistor:bjt

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--- 음향:electric_circuit:solid_state:transistor:bjt [2025/03/17] – ↷ 문서가 음향:electric_circuit:transistor:bjt에서 음향:electric_circuit:solid_state:transistor:bjt(으)로 이동되었습니다 정승환
+++ 음향:electric_circuit:solid_state:transistor:bjt [2025/11/01] (현재) – 정승환
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 {{:음향:components:20220630-051039.png}}
+주 재료
+  * 실리콘(Si): 현재 대부분의 BJT는 매우 순수한 실리콘으로 제작됩니다. 실리콘은 열적 안정성과 신뢰성이 높아 게르마늄을 대체하여 가장 널리 사용되는 재료입니다.
+  * 실리콘-게르마늄(SiGe): 일부 고성능 또는 특수 목적의 BJT에는 실리콘-게르마늄 합금이 사용되기도 합니다. 이는 고속 동작 특성을 위해 선택됩니다.
+  * 실리콘 카바이드(SiC), 다이아몬드: 고전압, 고온, 고출력 애플리케이션에서는 실리콘 카바이드나 다이아몬드와 같은 특수 반도체 재료도 연구되고 있습니다
 ^  JFET  ^  BJT  ^
@@ 줄 21: / 줄 26: @@
 |  게인은 전압대비 전류량에 의해 조절된다.  |  게인은 전압에 의해 조절된다.  |
+{{tag>트랜지스터}}

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음향/electric_circuit/solid_state/transistor/bjt.1742151752.txt.gz · 마지막으로 수정됨: 2025/03/17 저자 정승환