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--- 음향:electric_circuit:solid_state:transistor:fet [2025/03/17] – 제거됨 - 바깥 편집 (Unknown date) 127.0.0.1
+++ 음향:electric_circuit:solid_state:transistor:fet [2025/04/20] (현재) – 정승환
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+======FET======
+**F**ield **E**ffect **T**ransistor, **전계 효과 트랜지스터**
+FET는 단자를 3개 가진 양극 반도체입니다. 이는 BJT와는 달리 Voltage Controlled Device 입니다. FET의 주요 장점 중 하나는 입력 임피던스가 수십 MΩ 수준으로 매우 높다는 것입니다. 또한 FET는 소비 전력이 낮고 열 방출이 적으며 매우 효율적인 장치입니다.
+{{ :음향:components:20220630-051059.png }}
+{{:음향:electric_circuit:transistor:20240413-231309.png}}
+일반적인 트랜지스터인 BJT(Bipolar junction Transistor), 또는 Op-Amp와는 달리, 동작 방식이 진공관의 방식과 비슷합니다. 진공관 처럼 전압에 의해 Bias를 주고 전류로 게인을 컨트롤 합니다. 하지만 진공관과 **작동 방식** 만 비슷하고, 실제 출력 되는 신호 특성은 진공관과는 매우 다릅니다.
+따라서 진공관을 FET 로 대체한 회로의 경우, 회로 자체는 큰 설계 변경 없이 쉽게 대체 할 수 있지만, 새츄레이션 특성 및 클리핑 특성이 매우 다르기 때문에, 출력되는 오디오 품질은 매우 다르다는 것을 주의해야 합니다.
+FET는 다음과 같은 특징을 가지고 있습니다.
+  * 단극성(Unipolar) − FET는 전도를 담당하는 전자나 홀 중 하나에 의해 단극성입니다.
+  * 고입력 임피던스 − FET의 입력 전류는 역방향 바이어스로 인해 흐릅니다. 따라서 고입력 임피던스를 가집니다.
+  * 전압 제어 장치 − FET의 출력 전압은 게이트 입력 전압에 의해 제어되므로 FET는 Voltage Controlled Device로 불립니다.
+  * 소음이 낮음 − FET의 도전경로에는 접합이 없습니다. 따라서 BJT보다 소음이 적습니다.
+  * 이득은 전압대비 전류변화량(transconductance)로 특성화됩니다. 전압대비 전류변화량은 입력 전압의 변화에 대한 출력 전류의 변화의 비율입니다.
+  * FET의 출력 임피던스는 낮습니다.
+주 재료
+  * 실리콘(Si): 가장 널리 사용되는 재료로, MOSFET과 JFET 등 대부분의 FET에서 표준적으로 쓰입니다.
+  * 게르마늄(Ge): 과거에는 사용됐으나, 현재는 거의 쓰이지 않습니다. 일부 JFET 등에서 제한적으로 사용된 적이 있습니다.
+  * 갈륨비소(GaAs): 고속, 고주파 특성이 필요한 MESFET, HEMT 등에서 사용됩니다. 실리콘보다 전자 이동도가 높아 고성능 RF 소자에 적합합니다.
+  * 실리콘-게르마늄(SiGe): 일부 고성능 MOSFET에서 채널 재료로 사용되기도 합니다
+^  JFET  ^  BJT  ^
+|  단극성입니다.  |  양극성입니다.  |
+|  전압으로 구동합니다.  |  전류로 구동합니다.  |
+|  높은 인풋 임피던스  |  낮은 인풋 임피던스  |
+|  낮은 노이즈  |  높은 노이즈  |
+|  낮은 발열  |  다소 높은 발열  |
+|  게인은 전압대비 전류변화량에 의해 조절된다.  |  게인은 전압에 의해 조절된다.  |

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