음향:electric_circuit:solid_state:transistor:fet

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--- 음향:electric_circuit:solid_state:transistor:fet [2025/03/17] – ↷ 문서가 음향:electric_circuit:transistor:fet에서 음향:electric_circuit:solid_state:transistor:fet(으)로 이동되었습니다 정승환
+++ 음향:electric_circuit:solid_state:transistor:fet [2026/03/31] (현재) – 정승환
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 {{:음향:electric_circuit:transistor:20240413-231309.png}}
-일반적인 트랜지스터인 BJT(Bipolar junction Transistor), 또는 Op-Amp와는 달리, 동작 방식이 진공관의 방식과 비슷합니다. 진공관 처럼 전압에 의해 Bias를 주고 전류로 게인을 컨트롤 합니다. 하지만 진공관과 **작동 방식** 만 비슷하고, 실제 출력 되는 신호 특성은 진공관과는 매우 다릅니다.
+일반적인 트랜지스터인 BJT(Bipolar junction Transistor), 또는 Op-Amp와는 달리, 동작 방식이 진공관의 방식과 비슷합니다. 진공관 처럼 전압에 의해 바이어스를 주고 전류로 게인을 컨트롤 합니다. 하지만 진공관과 **작동 방식** 만 비슷하고, 실제 출력 되는 신호 특성은 진공관과는 매우 다릅니다.
 따라서 진공관을 FET 로 대체한 회로의 경우, 회로 자체는 큰 설계 변경 없이 쉽게 대체 할 수 있지만, 새츄레이션 특성 및 클리핑 특성이 매우 다르기 때문에, 출력되는 오디오 품질은 매우 다르다는 것을 주의해야 합니다.
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   * 이득은 전압대비 전류변화량(transconductance)로 특성화됩니다. 전압대비 전류변화량은 입력 전압의 변화에 대한 출력 전류의 변화의 비율입니다.
   * FET의 출력 임피던스는 낮습니다.
+주 재료
+  * 실리콘(Si): 가장 널리 사용되는 재료로, MOSFET과 JFET 등 대부분의 FET에서 표준적으로 쓰입니다.
+  * 게르마늄(Ge): 과거에는 사용됐으나, 현재는 거의 쓰이지 않습니다. 일부 JFET 등에서 제한적으로 사용된 적이 있습니다.
+  * 갈륨비소(GaAs): 고속, 고주파 특성이 필요한 MESFET, HEMT 등에서 사용됩니다. 실리콘보다 전자 이동도가 높아 고성능 RF 소자에 적합합니다.
+  * 실리콘-게르마늄(SiGe): 일부 고성능 MOSFET에서 채널 재료로 사용되기도 합니다
 ^  JFET  ^  BJT  ^
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 |  낮은 발열  |  다소 높은 발열  |
 |  게인은 전압대비 전류변화량에 의해 조절된다.  |  게인은 전압에 의해 조절된다.  |
+{{tag>필드 이펙트 트랜지스터}}

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음향/electric_circuit/solid_state/transistor/fet.1742151752.txt.gz · 마지막으로 수정됨: 2025/03/17 저자 정승환