음향:electric_circuit:solid_state:transistor:fet

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--- 음향:electric_circuit:solid_state:transistor:fet [2025/03/17] – ↷ 문서가 음향:electric_circuit:transistor:fet에서 음향:electric_circuit:solid_state:transistor:fet(으)로 이동되었습니다 정승환
+++ 음향:electric_circuit:solid_state:transistor:fet [2025/11/01] (현재) – 정승환
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   * 이득은 전압대비 전류변화량(transconductance)로 특성화됩니다. 전압대비 전류변화량은 입력 전압의 변화에 대한 출력 전류의 변화의 비율입니다.
   * FET의 출력 임피던스는 낮습니다.
+주 재료
+  * 실리콘(Si): 가장 널리 사용되는 재료로, MOSFET과 JFET 등 대부분의 FET에서 표준적으로 쓰입니다.
+  * 게르마늄(Ge): 과거에는 사용됐으나, 현재는 거의 쓰이지 않습니다. 일부 JFET 등에서 제한적으로 사용된 적이 있습니다.
+  * 갈륨비소(GaAs): 고속, 고주파 특성이 필요한 MESFET, HEMT 등에서 사용됩니다. 실리콘보다 전자 이동도가 높아 고성능 RF 소자에 적합합니다.
+  * 실리콘-게르마늄(SiGe): 일부 고성능 MOSFET에서 채널 재료로 사용되기도 합니다
 ^  JFET  ^  BJT  ^
@@ 줄 28: / 줄 34: @@
 |  낮은 발열  |  다소 높은 발열  |
 |  게인은 전압대비 전류변화량에 의해 조절된다.  |  게인은 전압에 의해 조절된다.  |
+{{tag>트랜지스터}}

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음향/electric_circuit/solid_state/transistor/fet.1742151752.txt.gz · 마지막으로 수정됨: 2025/03/17 저자 정승환