음향:electric_circuit:transistor:fet
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음향:electric_circuit:transistor:fet [2024/04/13] – 정승환 | 음향:electric_circuit:transistor:fet [2024/04/13] (현재) – 정승환 | ||
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**F**ield **E**ffect **T**ransistor, | **F**ield **E**ffect **T**ransistor, | ||
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+ | FET는 단자를 3개 가진 양극 반도체입니다. 이는 BJT와는 달리 Voltage Controlled Device 입니다. FET의 주요 장점 중 하나는 입력 임피던스가 수십 Mohm 수준으로 매우 높다는 것입니다. 또한 FET는 소비 전력이 낮고 열 방출이 적으며 매우 효율적인 장치입니다. | ||
{{ : | {{ : | ||
- | 일반적인 트랜지스터인 BJT(Bipolar junction Transistor), | + | {{: |
- | 하지만 진공관과 **작동 방식** 만 비슷하고, | + | 일반적인 트랜지스터인 BJT(Bipolar junction Transistor), |
- | 따라서 진공관을 FET 로 대체한 회로의 경우, 회로 자체는 큰 설계 변경 없이 쉽게 대체 할 수 있지만, 세츄레이션 특성 및 클리핑 특성이 매우 다르기 때문에, 출력되는 오디오 품질은 매우 다르다는 것을 주의해야 | + | 따라서 진공관을 FET 로 대체한 회로의 경우, 회로 자체는 큰 설계 변경 없이 쉽게 대체 할 수 있지만, 세츄레이션 특성 및 클리핑 특성이 매우 다르기 때문에, 출력되는 오디오 품질은 매우 다르다는 것을 주의해야 |
- | FET는 다음과 같은 특징을 가지고 있다. | + | FET는 다음과 같은 특징을 가지고 있습니다. |
* 단극성(Unipolar) − FET는 전도를 담당하는 전자나 홀 중 하나에 의해 단극성입니다. | * 단극성(Unipolar) − FET는 전도를 담당하는 전자나 홀 중 하나에 의해 단극성입니다. | ||
* 고입력 임피던스 − FET의 입력 전류는 역방향 바이어스로 인해 흐릅니다. 따라서 고입력 임피던스를 가집니다. | * 고입력 임피던스 − FET의 입력 전류는 역방향 바이어스로 인해 흐릅니다. 따라서 고입력 임피던스를 가집니다. | ||
* 전압 제어 장치 − FET의 출력 전압은 게이트 입력 전압에 의해 제어되므로 FET는 Voltage Controlled Device로 불립니다. | * 전압 제어 장치 − FET의 출력 전압은 게이트 입력 전압에 의해 제어되므로 FET는 Voltage Controlled Device로 불립니다. | ||
* 소음이 낮음 − FET의 도전경로에는 접합이 없습니다. 따라서 BJT보다 소음이 적습니다. | * 소음이 낮음 − FET의 도전경로에는 접합이 없습니다. 따라서 BJT보다 소음이 적습니다. | ||
- | * 이득은 전도증도(transconductance)로 특성화됩니다. 전도증도는 | + | * 이득은 전압대비 전류변화량(transconductance)로 특성화됩니다. 전압대비 전류변화량은 |
* FET의 출력 임피던스는 낮습니다. | * FET의 출력 임피던스는 낮습니다. | ||
+ | |||
+ | ^ JFET ^ BJT ^ | ||
+ | | 단극성입니다. | ||
+ | | 전압으로 구동합니다. | ||
+ | | 높은 인풋 임피던스 | ||
+ | | 낮은 노이즈 | ||
+ | | 낮은 발열 | ||
+ | | 게인은 전압대비 전류변화량에 의해 조절된다. | ||
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음향/electric_circuit/transistor/fet.1713017163.txt.gz · 마지막으로 수정됨: 2024/04/13 저자 정승환