음향:electric_circuit:transistor:fet
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음향:electric_circuit:transistor:fet [2024/04/13] – 정승환 | 음향:electric_circuit:transistor:fet [2024/04/13] (현재) – 정승환 | ||
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- | 일반적인 트랜지스터인 BJT(Bipolar junction Transistor), | + | 일반적인 트랜지스터인 BJT(Bipolar junction Transistor), |
따라서 진공관을 FET 로 대체한 회로의 경우, 회로 자체는 큰 설계 변경 없이 쉽게 대체 할 수 있지만, 세츄레이션 특성 및 클리핑 특성이 매우 다르기 때문에, 출력되는 오디오 품질은 매우 다르다는 것을 주의해야 합니다. | 따라서 진공관을 FET 로 대체한 회로의 경우, 회로 자체는 큰 설계 변경 없이 쉽게 대체 할 수 있지만, 세츄레이션 특성 및 클리핑 특성이 매우 다르기 때문에, 출력되는 오디오 품질은 매우 다르다는 것을 주의해야 합니다. | ||
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* 전압 제어 장치 − FET의 출력 전압은 게이트 입력 전압에 의해 제어되므로 FET는 Voltage Controlled Device로 불립니다. | * 전압 제어 장치 − FET의 출력 전압은 게이트 입력 전압에 의해 제어되므로 FET는 Voltage Controlled Device로 불립니다. | ||
* 소음이 낮음 − FET의 도전경로에는 접합이 없습니다. 따라서 BJT보다 소음이 적습니다. | * 소음이 낮음 − FET의 도전경로에는 접합이 없습니다. 따라서 BJT보다 소음이 적습니다. | ||
- | * 이득은 전압대비 전류량(transconductance)로 특성화됩니다. 전압대비 전류량은 입력 전압의 변화에 대한 출력 전류의 변화의 비율입니다. | + | * 이득은 전압대비 전류변화량(transconductance)로 특성화됩니다. 전압대비 전류변화량은 입력 전압의 변화에 대한 출력 전류의 변화의 비율입니다. |
* FET의 출력 임피던스는 낮습니다. | * FET의 출력 임피던스는 낮습니다. | ||
줄 27: | 줄 27: | ||
| 낮은 노이즈 | | 낮은 노이즈 | ||
| 낮은 발열 | | 낮은 발열 | ||
- | | 게인은 전압대비 전류량에 의해 조절된다. | + | | 게인은 전압대비 전류변화량에 의해 조절된다. |
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음향/electric_circuit/transistor/fet.1713018447.txt.gz · 마지막으로 수정됨: 2024/04/13 저자 정승환