BJT

Bipolar Junction Transistor, 양극성 접합 트랜지스터

양극성 접합 트랜지스터, BJT로 짧게 표현되는 것은 두 개의 PN 접합이 그 기능을 위해 있는 것이기 때문에 그렇게 불립니다. 이 BJT는 일반적인 트랜지스터입니다. NPN 및 PNP 두 가지 유형의 구성이 있습니다. 일반적으로 편의를 위해 NPN 트랜지스터가 선호됩니다.

BJT의 유형은 NPN 및 PNP 트랜지스터입니다. NPN 트랜지스터는 두 개의 n-유형 물질 사이에 p-유형 물질을 놓음으로써 제작됩니다. PNP 트랜지스터는 두 개의 p-유형 물질 사이에 n-유형 물질을 놓음으로써 제작됩니다.

BJT는 Current Controlled Device¹⁾입니다. 일반 트랜지스터가 이 범주에 속합니다. 기능, 구성 및 응용은 모두 동일합니다.

그림 1

그림 2

• 실리콘(Si): 현재 대부분의 BJT는 매우 순수한 실리콘으로 제작됩니다. 실리콘은 열적 안정성과 신뢰성이 높아 게르마늄을 대체하여 가장 널리 사용되는 재료입니다.
• 실리콘-게르마늄(SiGe): 일부 고성능 또는 특수 목적의 BJT에는 실리콘-게르마늄 합금이 사용되기도 합니다. 이는 고속 동작 특성을 위해 선택됩니다.
• 실리콘 카바이드(SiC): 다이아몬드: 고전압, 고온, 고출력 애플리케이션에서는 실리콘 카바이드나 다이아몬드와 같은 특수 반도체 재료도 연구되고 있습니다

BJT는 실장 방식과 집적 형태로 3가지로 나눌 수 있다:

• THT: 핸드 솔더링 쉽지만 부피 큼.
• 듀얼 어레이: h_FE/V_BE 매칭 ±1~3%로 정밀회로 특화.
• SMD: 자동실장 최적화, 공간 효율 최고.